半導体光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 谷渡 剛; 芳賀 徹 |
| 发表日期 | 1997-09-05 |
| 专利号 | JP1997232682A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】メサストライプマスクと半導体層の密着性を向上し、埋込成長による電流狭窄層形成工程におけるメサストライプマスク剥がれを防止する。 【解決手段】メサストライプマスク2と半導体層の密着性を向上させるために、メサストライプ端部が全て隣合うメサストライプと連続につながっている帯状パターン16と、メサストライプの途中に全てのメサストライプと直交するストライプパターン17を形成する。 |
| 公开日期 | 1997-09-05 |
| 申请日期 | 1996-02-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71298]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷渡 剛,芳賀 徹. 半導体光素子の製造方法. JP1997232682A. 1997-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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