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窒化物半導体発光素子

文献类型:专利

作者梅本 整; 妹尾 雅之; 今泉 幾子; 丸岡 亜寿佳; 吉田 妃呂子
发表日期1998-04-24
专利号JP1998107384A
著作权人日亜化学工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名窒化物半導体発光素子
英文摘要【目的】 酸化物基板の上に成長された窒化物半導体よりなる発光チップが、ヒートシンク、リードフレームのような支持体にフェースアップでダイボンディングされた発光素子を実現するに際し、チップの接着性が大きく、かつ放熱性の高い発光素子を提供する。 【構成】 第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側に電気陰性度が2.0未満の金属を含む第1の薄膜が形成された発光チップが、第1の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、導電性の接着剤を介して、支持体にダイボンディングされていることにより、発光チップが強固に接着されている。
公开日期1998-04-24
申请日期1996-10-02
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71331]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日亜化学工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
梅本 整,妹尾 雅之,今泉 幾子,等. 窒化物半導体発光素子. JP1998107384A. 1998-04-24.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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