窒化ガリウム系半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 長谷川 義晃; 石橋 明彦; 上村 信行; 原 義博; 粂 雅博; 伴 雄三郎 |
| 发表日期 | 1998-06-02 |
| 专利号 | JP1998150245A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 低転位密度,低歪の高品質GaN結晶の成長方法を提供する。 【解決手段】 サファイア基板60上でAlxGa1-xNバッファ層63を成長することにより、サファイア基板60とGaN層62の熱膨張係数差による歪を緩和することができるため、従来よりも転位密度を約1/100(107cm-2)、歪を約1/50(8×107dyn/cm2)に低減した高品質GaN系発光素子を製造することができる。特にバッファ層63の組成をx=0.12、膜厚を2μm以上とした場合には、最大限の歪低減と転位同士の相互消滅作用も生じるため、この効果が顕著に現れる。また、クラックの発生も抑制され製造歩留りの向上に大きく寄与する。これにより、電気的,光学的特性に優れた高品質GaN系発光素子がサファイア基板で製造することが可能になる。 |
| 公开日期 | 1998-06-02 |
| 申请日期 | 1996-11-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71334]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長谷川 義晃,石橋 明彦,上村 信行,等. 窒化ガリウム系半導体の製造方法. JP1998150245A. 1998-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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