窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 坂本 恵司; 中村 修二 |
| 发表日期 | 1998-06-30 |
| 专利号 | JP1998178239A |
| 著作权人 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体ウェーハの基板を薄してもウェーハが不規則な位置で割れないような製造方法を提供することにより、放熱性に優れた窒化物半導体素子を作製して素子を長寿命にする。 【構成】 絶縁性基板上に膜厚0.5μm以下のバッファ層を介して、最初に膜厚6μm以上のn型窒化物半導体層を成長させるか、あるいは総膜厚6μm以上となるように複数の窒化物半導体層を成長させるた後、ウェーハの絶縁性基板の厚さを60μm以下に調整して、ウェーハをチップにすることにより、基板の厚さが薄い窒化物半導体素子が実現できるので放熱性が向上する。 |
| 公开日期 | 1998-06-30 |
| 申请日期 | 1996-12-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71339]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 坂本 恵司,中村 修二. 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子. JP1998178239A. 1998-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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