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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者井戸 豊; 橋本 豊之; 樫原 稔; 久光 守; 小林 裕
发表日期1998-07-21
专利号JP1998190130A
著作权人SHIMADZU CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】 半導体レーザ素子にヒートシンクが均一にボンディングできるような半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子1とヒートシンク7のバルクとの間にはバリア層6と、その上にはハンダ材との濡れを良くするための金属層5とが形成されており、半導体レーザ素子とヒートシンクとの接合を均一にすることができる。
公开日期1998-07-21
申请日期1996-12-27
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71341]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHIMADZU CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
井戸 豊,橋本 豊之,樫原 稔,等. 半導体レーザ装置. JP1998190130A. 1998-07-21.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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