半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 長崎 洋樹; 内田 史朗 |
| 发表日期 | 1998-07-31 |
| 专利号 | JP1998200194A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザの時間経過による光出力の低下を、信頼性の低下や消費電力を高めることなく補償するようにした半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザLDと直列に、この半導体レーザLDの温度を感知して抵抗変化を生じる感温抵抗素子12が接続された構成とする。 |
| 公开日期 | 1998-07-31 |
| 申请日期 | 1997-01-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71342]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長崎 洋樹,内田 史朗. 半導体レーザ装置. JP1998200194A. 1998-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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