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半導体レーザおよびその製法

文献类型:专利

作者市原 淳
发表日期1998-08-25
专利号JP1998229244A
著作权人ローム株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザおよびその製法
英文摘要【課題】 半導体積層部上の幅の狭いストライプ電極との電気的接続を容易に行うことができる構造の半導体レーザを提供する。 【解決手段】 基板1と、該基板上に発光層を形成すべく半導体層が積層される半導体積層部6と、該半導体積層部上に設けられる幅の狭いストライプ電極7とを備えるレーザチップを有する半導体レーザであって、前記ストライプ電極が設けられる側に該ストライプ電極より幅が広いDB用メタル8が設けられている。具体例としては、ストライプ電極の下側の半導体積層部をストライプ部6aとされ、p形層4、5がストライプ部と電気的に分離された半導体積層部6b上に前記DB用メタル8が設けられている。
公开日期1998-08-25
申请日期1997-02-13
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71348]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ローム株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
市原 淳. 半導体レーザおよびその製法. JP1998229244A. 1998-08-25.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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