半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 内田 智士 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256643A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、安価なSi製のサブマウントを用いながら、放熱にも優れた半導体レーザー装置を提供することにある。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、金属製のヒートシンク7と、前記ヒートシン7ク上に搭載される絶縁体8と、前記絶縁体8に搭載される導電性のサブマウ9ントと、前記サブマウントにPNジャンクションのP側面が電気的に接続するように搭載された半導体レーザ素子10と、前記サブマント9近傍に配置されたリードピン5を有する半導体レーザ装置において、前記ヒートシンク7と半導体レーザ素子10のN側とが金属ワイヤ12で電気的に接続されるとともに、前記リードピン5とサブマント9が金属ワイヤ14電気的に接続されているされていることを特徴とするものである。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71354]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 智士. 半導体レーザ装置. JP1998256643A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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