面発光型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 貴幸; 川瀬 健夫; 森 克己 |
| 发表日期 | 1998-09-29 |
| 专利号 | JP1998261830A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 素子を劣化させる工程を含まない簡単な方法で、表面出射を可能にするヒートシンク構造を実現し、高いレーザ出力と高い信頼性を有する面発光型半導体レーザを提供すること。 【解決手段】 少なくとも一部が突起状の共振器を持つ垂直共振器型の面発光型半導体レーザにおいて、共振器突起部108の周囲に融点が400℃以下の埋めこみ金属112が埋め込まれてなるので,放熱性が飛躍的に高まり,駆動中の素子温度の上昇を抑えレーザ出力の向上を可能とする。 |
| 公开日期 | 1998-09-29 |
| 申请日期 | 1997-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71358]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 貴幸,川瀬 健夫,森 克己. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP1998261830A. 1998-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。