窒化物半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 蝶々 一幸; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2001-11-09 |
| 专利号 | JP3248564B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体レーザの放熱性を向上させて、しきい値の上昇を抑制し、寿命特性を向上させる。 【構成】 窒化物半導体層に形成された電極上に電極と電気的に接触し表面に凹凸を有する形状のp型のパット電極21及び22と、n-パット電極14を設けてなる。 |
| 公开日期 | 2002-01-21 |
| 申请日期 | 1997-04-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71363]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蝶々 一幸,中村 修二. 窒化物半導体レーザダイオード. JP3248564B2. 2001-11-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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