半導体発光素子
文献类型:专利
作者 | 森田 悦男; 河合 弘治 |
发表日期 | 2006-02-17 |
专利号 | JP3769872B2 |
著作权人 | ソニー株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半導体発光素子 |
英文摘要 | 【課題】 リードフレームなどの基台上に接着剤で接着して使用する場合に、輝度劣化を防止して信頼性の向上を図ることができるとともに、接着剤の選択の自由度を高くすることができる半導体発光素子を提供する。また、外部に光を有効に取り出すことができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 GaN系発光ダイオードにおいて、サファイア基板1の表面に発光ダイオード構造を形成するGaN系化合物半導体層2〜7を積層し、裏面に反射膜11を設ける。あるいは、発光ダイオード構造を形成するGaN系化合物半導体層にエッチングにより逆メサ形状の端面を形成し、この端面に反射膜を設ける。p側電極9およびn側電極10はGaN系化合物半導体層2〜7と同じ側に設ける。 |
公开日期 | 2006-04-26 |
申请日期 | 1997-05-06 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71369] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ソニー株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 森田 悦男,河合 弘治. 半導体発光素子. JP3769872B2. 2006-02-17. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。