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半導体発光素子

文献类型:专利

作者森田 悦男; 河合 弘治
发表日期2006-02-17
专利号JP3769872B2
著作权人ソニー株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体発光素子
英文摘要【課題】 リードフレームなどの基台上に接着剤で接着して使用する場合に、輝度劣化を防止して信頼性の向上を図ることができるとともに、接着剤の選択の自由度を高くすることができる半導体発光素子を提供する。また、外部に光を有効に取り出すことができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 GaN系発光ダイオードにおいて、サファイア基板1の表面に発光ダイオード構造を形成するGaN系化合物半導体層2〜7を積層し、裏面に反射膜11を設ける。あるいは、発光ダイオード構造を形成するGaN系化合物半導体層にエッチングにより逆メサ形状の端面を形成し、この端面に反射膜を設ける。p側電極9およびn側電極10はGaN系化合物半導体層2〜7と同じ側に設ける。
公开日期2006-04-26
申请日期1997-05-06
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71369]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ソニー株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
森田 悦男,河合 弘治. 半導体発光素子. JP3769872B2. 2006-02-17.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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