半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 久光 守 |
| 发表日期 | 1999-02-26 |
| 专利号 | JP1999054850A |
| 著作权人 | SHIMADZU CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 それほど厳密な工程管理を行なわなくても温度分布を均一にする。 【解決手段】 半導体レーザチップ10のp側電極に均熱層19を設けておいて、この均熱層19が半田材50に接触するようにしてチップ10をヒートシンク30に接合し、チップ10とヒートシンク30との接合面で熱抵抗が場所的にばらついていてもそのばらつきを均熱層19で抑えて活性層11などでの層の面内方向での温度分布を均一にする。 |
| 公开日期 | 1999-02-26 |
| 申请日期 | 1997-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71380]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHIMADZU CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久光 守. 半導体レーザ装置. JP1999054850A. 1999-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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