半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥田 哲朗 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP3024603B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高い単一モード安定性と高歩留まり特性と高効率·高出力特性を併せ持つ半導体レーザおよびその製造方法を実現すること。 【解決手段】 共振器方向についての一部に形成される回折格子と、共振器方向の全体にわたって形成される活性層と、光出射側となる一方の面には低反射膜が形成され、他方の面には高反射膜が形成された半導体レーザであって、回折格子を形成する領域の長さが素子長の52%以上64%以下で、回折格子の結合係数と回折格子形成領域長の積が0.8以上2以下であることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-03-21 |
| 申请日期 | 1997-08-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71382]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 哲朗. 半導体レーザおよびその製造方法. JP3024603B2. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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