窒化物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 豊田 達憲; 高岡 美和 |
| 发表日期 | 1999-04-09 |
| 专利号 | JP1999097742A |
| 著作权人 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 突き上げピンによる窒化物半導体面の傷及び絶縁膜の割れを防止し、短絡不良が発生しない信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することである。 【解決手段】 基板11上に積層形成されたn型層12及びp型層13と、p型層13上のほぼ全面に設けられたp電極15と、前記p型層13側から上記n型層12に達する第一の凹部と、第一の凹部に露出したn型層12上に設けられたn電極14と、前記p型側13から上記基板11に達する第二の凹部とを有し、p電極15及びn電極14の各ボンディング面を除いてp電極15及びn電極14から第二の凹部まで連続して絶縁膜18が形成されてなり、発光観測面を基板側とし、絶縁膜18上にポリイミド系薄膜60が積層形成されている。 |
| 公开日期 | 1999-04-09 |
| 申请日期 | 1997-09-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71386]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 豊田 達憲,高岡 美和. 窒化物半導体素子. JP1999097742A. 1999-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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