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半導体レーザ

文献类型:专利

作者飯尾 晋司; 日原 衛; 末広 雅幸; 武田 英樹
发表日期1999-04-13
专利号JP1999103121A
著作权人横河電機株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ
英文摘要【課題】 コストが安く、しかも長期に渡って波長の安定した半導体レーザを実現する。 【解決手段】 単一縦モード発振を行うレーザダイオードにおいて、レーザチップを固定部材に固定するに際し、前記レーザチップと固定部材は各々の熱膨張係数の違いに基づく応力歪が発生しない様に固定した。
公开日期1999-04-13
申请日期1997-09-25
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71388]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位横河電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
飯尾 晋司,日原 衛,末広 雅幸,等. 半導体レーザ. JP1999103121A. 1999-04-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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