半導体レーザ
文献类型:专利
| 作者 | 飯尾 晋司; 日原 衛; 末広 雅幸; 武田 英樹 |
| 发表日期 | 1999-04-13 |
| 专利号 | JP1999103121A |
| 著作权人 | 横河電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 コストが安く、しかも長期に渡って波長の安定した半導体レーザを実現する。 【解決手段】 単一縦モード発振を行うレーザダイオードにおいて、レーザチップを固定部材に固定するに際し、前記レーザチップと固定部材は各々の熱膨張係数の違いに基づく応力歪が発生しない様に固定した。 |
| 公开日期 | 1999-04-13 |
| 申请日期 | 1997-09-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71388] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 横河電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 飯尾 晋司,日原 衛,末広 雅幸,等. 半導体レーザ. JP1999103121A. 1999-04-13. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
