発光デバイス
文献类型：专利
| 作者 | 田中 栄一郎; 中村 哲朗 |
| 发表日期 | 1999-04-13 |
| 专利号 | JP1999103091A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光デバイス |
| 英文摘要 | 【課題】 p-n接合を有する窒化物半導体よりなる発光チップの窒化物半導体層側を発光観測面とする構造の発光デバイスにおいて、その発光デバイスの外部量子効率を向上させると同時に、電極間又はp-n接合間のショートを防止し、更に静電気等の蓄積電荷による破壊を防ぐ。 【解決手段】 サファイア基板1上に、p-n接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体2a、2bを積層した発光チップが、実装基板又はリードフレーム3に載置されてなる発光デバイスにおいて、サファイア基板1と実装基板又はリードフレーム3とを102〜1013Ω·cmの比抵抗を有する透明接着剤あるいは導電性粒子を含む接着剤4を介して接着する。 |
| 公开日期 | 1999-04-13 |
| 申请日期 | 1997-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71390]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 栄一郎,中村 哲朗. 発光デバイス. JP1999103091A. 1999-04-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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