半導体レーザモジュール
文献类型：专利
| 作者 | 藤田 豪; 酒井 清秀; 山下 純一郎 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP1999183759A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザモジュール |
| 英文摘要 | 【課題】 ビーム形状が楕円のLD素子と熱加工処理によってコア形状を楕円化した偏波保存ファイバとの結合において、十分なアイソレーションを確保し、なおかつLD素子の偏波面と光ファイバの偏波保存軸を合わせ、楕円ビーム形状を有するLD素子と高効率な結合が得られることを特徴とした半導体レーザモジュールを提供する。 【解決手段】 偏波保存ファイバを熱加工処理することによりコア形状を楕円化し、LD素子の楕円ビーム形状と一致させることにより、高効率な結合を得て、第1の偏光子と第1のファラデー回転子、第2の偏光子を配置することによりアイソレーションを確保し、第2のファラデー回転子と第3の偏光子を配置することにより、更なるアイソレーションの確保、及びLD素子の偏波面と光ファイバの偏波保存軸を一致させる。 |
| 公开日期 | 1999-07-09 |
| 申请日期 | 1997-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71406]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤田 豪,酒井 清秀,山下 純一郎. 半導体レーザモジュール. JP1999183759A. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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