窒化ガリウム系化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 小林 祐二; 福田 康彦 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP1999186604A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体素子において、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の上に形成される透光性のp側電極の材質の転換により、順方向電圧Vfの低減と透光率の向上を図る。 【解決手段】 p型の窒化ガリウム系化合物半導体を有し、その半導体層に電極が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体素子において、前記p型層の電極はSbまたは少なくともSbを含む合金が使用されている。 |
| 公开日期 | 1999-07-09 |
| 申请日期 | 1997-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71412]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 祐二,福田 康彦. 窒化ガリウム系化合物半導体素子. JP1999186604A. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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