面発光型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 貴幸; 金子 剛; 川瀬 健夫 |
| 发表日期 | 1999-09-24 |
| 专利号 | JP1999261153A |
| 著作权人 | SEIKO EPSON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 素子を劣化させる工程を含まない簡単な方法で、表面出射を可能にするヒートシンク構造を実現し、高いレーザ出力と高い信頼性を有する面発光型半導体レーザを提供すること。 【解決手段】 少なくとも一部が突起状の共振器を持つ垂直共振器型の面発光型半導体レーザにおいて、共振器突起部108の周囲を融点が400℃以下の埋めこみ層112で埋め込むことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-09-24 |
| 申请日期 | 1998-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71430]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SEIKO EPSON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 貴幸,金子 剛,川瀬 健夫. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP1999261153A. 1999-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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