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光半導体装置及びその製造方法

文献类型:专利

作者尾内 敏彦; 赤池 正剛
发表日期1999-09-28
专利号JP1999266056A
著作权人キヤノン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置及びその製造方法
英文摘要【課題】固相接合技術などの接合技術を用いて、波長、構造などの自由度が高く、歩留まりや生産性の高い低しきい値の半導体レーザ等の光半導体装置及びその製造法である。 【解決手段】光半導体装置は、第1の半導体部1、2、3、4と第2の半導体部5、6とを微小領域13で電気的結合が得られる様に接合することで成る。接合は、第1あるいは第2の半導体部のいずれかに形成された電流を狭窄する微小領域13が少なくとも接合されて起こっている。微小領域13は部分的なエッチングや酸化などの表面処理で形成され、接合は固相接合である。
公开日期1999-09-28
申请日期1998-03-16
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71436]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位キヤノン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
尾内 敏彦,赤池 正剛. 光半導体装置及びその製造方法. JP1999266056A. 1999-09-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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