光半導体装置及びその製造方法
文献类型:专利
作者 | 尾内 敏彦; 赤池 正剛 |
发表日期 | 1999-09-28 |
专利号 | JP1999266056A |
著作权人 | キヤノン株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
英文摘要 | 【課題】固相接合技術などの接合技術を用いて、波長、構造などの自由度が高く、歩留まりや生産性の高い低しきい値の半導体レーザ等の光半導体装置及びその製造法である。 【解決手段】光半導体装置は、第1の半導体部1、2、3、4と第2の半導体部5、6とを微小領域13で電気的結合が得られる様に接合することで成る。接合は、第1あるいは第2の半導体部のいずれかに形成された電流を狭窄する微小領域13が少なくとも接合されて起こっている。微小領域13は部分的なエッチングや酸化などの表面処理で形成され、接合は固相接合である。 |
公开日期 | 1999-09-28 |
申请日期 | 1998-03-16 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71436] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | キヤノン株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 尾内 敏彦,赤池 正剛. 光半導体装置及びその製造方法. JP1999266056A. 1999-09-28. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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