半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 市川 英樹; 辻 亮 |
| 发表日期 | 2003-03-20 |
| 专利号 | JP3410655B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子とサブマウントとの接着状態を改善する。 【解決手段】 サブマウント表面の半導体レーザ素子を接着する部分のAu層4-3bの厚さを、サブマウント表面のワイヤボンディングする部分のAu層4-3aより薄くする。 |
| 公开日期 | 2003-05-26 |
| 申请日期 | 1998-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71440]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 市川 英樹,辻 亮. 半導体レーザ装置の製造方法. JP3410655B2. 2003-03-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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