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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者辻 亮
发表日期1999-10-15
专利号JP1999284098A
著作权人SHARP CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】 従来の半導体レーザ装置では、サブマウント上表面に付着されるろう材の面積がレーザチップの外形より大きいため、ダイボンドするとろう材がはみ出し、レーザチップの活性層まで這い上がりレーザリークを起こす問題が生じやすかった。 【解決手段】 本発明のサブマウント上に載置されたレーザチップを有する半導体レーザ装置では、前記レーザチップを前記サブマウントにダイボンドするために用いるろう材の付着領域を、放熱を損なわない程度に、前記レーザチップと前記サブマウントの接着面積より小さくすることによって、上記問題を解決する。
公开日期1999-10-15
申请日期1998-03-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71442]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHARP CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
辻 亮. 半導体レーザ装置. JP1999284098A. 1999-10-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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