半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中村 隆宏 |
| 发表日期 | 1999-11-05 |
| 专利号 | JP1999307862A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 水平アクティブテーパ型スポットサイズ変換レーザにおける、テーパ長を短かくすることによる光ファイバとの結合効率の低減の問題をを改善した半導体レーザ。 【解決手段】 共振器が第一の幅を有する実質的に矩形の活性層領域105と、第一の幅より狭い第二の幅を有する実質的に矩形の活性層領域107が一体として接合された構成であり、前記第二の活性層領域において、レーザ光の導波モードと放射モードとが干渉する。 |
| 公开日期 | 1999-11-05 |
| 申请日期 | 1998-04-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71448]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 隆宏. 半導体レーザ. JP1999307862A. 1999-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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