半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 成井 啓修; 谷口 健博; 植野 紀子; 岡野 展賢 |
| 发表日期 | 1999-12-24 |
| 专利号 | JP1999354888A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造が容易でかつ放熱を促進することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 配設基板80により支持された基板11の配設基板80と反対側に複数のレーザ発振部20a,20b,20c,20dが形成される。レーザ発振部20a,20b,20c,20dにはp側電極15a,15b,15c,15dが接続され、p側電極15b,15cには厚さを厚くすることにより放熱機能を備えた引き出し用電極17a,17bが接続される。引き出し用電極17a,17bはレーザ発振部20b,20cを覆うと共に、絶縁層16a,16bを介してレーザ発振部20a,20dも覆っている。よって、基板11の側を配設基板80に配設するようにしても、発生した熱を積極的に放熱でき、熱干渉による閾値電圧の上昇や発光出力の低下を抑制できる。 |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 申请日期 | 1998-06-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71450]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成井 啓修,谷口 健博,植野 紀子,等. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1999354888A. 1999-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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