窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 杉本 康宜 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP2000022272A |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ素子の実用性の更なる向上のために寿命特性をより良好とさせるべく、共振面を劈開により形成する際の劈開性及び接着性が良好なpパッド電極を有する放熱性の良好な窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 【解決手段】 ストライプ側面に絶縁膜62を有するリッジ形状のストライプを有し、該ストライプの最上層にp電極20及びp電極20より大面積を有するpパッド電極101を順に形成してなり、さらにストライプ長さ方向に対して垂直な方向に劈開して形成された劈開面201に共振面を有し、前記pパッド電極101が、ストライプ長さと同一の長さでp電極20全面を覆って形成された第1の薄膜層31と、該第1の薄膜層31上にストライプ長さより短い長さで形成された第2の薄膜層32とから少なくとも形成されてなる。 |
| 公开日期 | 2000-01-21 |
| 申请日期 | 1998-07-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71458]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉本 康宜. 窒化物半導体レーザ素子. JP2000022272A. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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