分布帰還型半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古嶋 裕司 |
| 发表日期 | 1999-06-18 |
| 专利号 | JP1999163466A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】DFB-LDの素子組立工程後に実効的な光定在波の端面位相を調整することを可能とし、単一軸モード歩留まりやアナログ光伝送時の歪特性歩留まりを向上する。 【解決手段】DFB-LDの部分的な領域、例えば端面やその近傍に高エネルギー光を照射し、被照射領域およびその近傍の活性層屈折率に摂動を与えることにより、光定在波に対して位相シフト領域として作用する部分を形成し、光定在波の位相シフト量を調整する。 |
| 公开日期 | 1999-06-18 |
| 申请日期 | 1998-07-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71461]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古嶋 裕司. 分布帰還型半導体レーザの製造方法. JP1999163466A. 1999-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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