窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 松本 秀俊; 矢野 振一郎; 樋渡 竜也 |
| 发表日期 | 2000-02-18 |
| 专利号 | JP2000049415A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 支持体に段差調整用の絶縁膜やリード電極を形成することなく、あるいは、エッチングにより支持体に段差を形成することなく、レーザ出射位置が一定になり、しかも放熱効果の優れた信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板1にn型コンタクト層2、p型コンタクト層3、絶縁物層4を含む窒化物半導体層を積層し、積層体の一部を除去してn型コンタクト層2を露出させた溝10の両側の絶縁物層4の上部に、一端をn型コンタクト層2に接続した負電極8と正電極7を配置したレーザチップ5を、第1の導電性部材41と第2の導電性部材42が絶縁部材43で分割され、同一高さの平面を有する構成の支持体45にフェイスダウン方式で導電性接着剤44を介してボンディングしている。 |
| 公开日期 | 2000-02-18 |
| 申请日期 | 1998-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71464]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 秀俊,矢野 振一郎,樋渡 竜也. 窒化物半導体レーザ素子. JP2000049415A. 2000-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。