半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 笹 沼 克 信; ジョン レニー; 斎 藤 真 司 |
| 发表日期 | 2000-02-25 |
| 专利号 | JP2000058919A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaNなどの各種のIII-V族化合物半導体において、含有する水素の濃度を低減し、インジウムやガリウムなどのIII族元素や、窒素などのV族元素の欠損を低減し、高いキャリア密度を有し、p側電極との間で低い接触抵抗を有し、高信頼性を持つ半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 MOCVD法などの方法により作製されたIII-V族化合物半導体の表面にフッ素化合物を設け、その後熱処理を施すことによって水素濃度の低減と窒素などの欠損の防止を同時に達成する。また、III-V族化合物半導体の表面にフッ素化合物を設け、レーザ、マイクロ波または電子線を照射し、または、半導体の表面にパラジウムなどの水素吸蔵金属層を形成し、電界を印加しつつ熱処理を施すことにより、水素濃度の低減と窒素等の欠損の防止を同時に達成する。 |
| 公开日期 | 2000-02-25 |
| 申请日期 | 1998-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71470]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笹 沼 克 信,ジョン レニー,斎 藤 真 司. 半導体素子及びその製造方法. JP2000058919A. 2000-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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