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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者後藤 壮謙; 井上 泰明; 森 和思; 田尻 敦志
发表日期2000-04-07
专利号JP2000101182A
著作权人SANYO ELECTRIC CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】半導体レーザ素子から出射されたモニタ用のレーザ光がモニタ用光検出器に良好に入射し、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の光量制御を良好に行うことが出来る半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】ヒートシンク1に、半導体レーザ素子2と、該半導体レーザ素子2から出射されたモニタ用レーザ光B2を入射する受光面4aを備える光検出器4とが設けられた半導体レーザ装置において、ヒートシンク1の上部に該ヒートシンク1の上面1aよりも低い位置に底面61を有する段差部6を設け、該段差部6の底面61に半導体レーザ素子2を配置し、該半導体レーザ素子2のモニタ用レーザ光B2の出射部分が光検出器4の受光面4aよりも上方に位置していることを特徴とする。
公开日期2000-04-07
申请日期1998-09-21
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71478]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
後藤 壮謙,井上 泰明,森 和思,等. 半導体レーザ装置. JP2000101182A. 2000-04-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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