半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 壮謙; 井上 泰明; 森 和思; 田尻 敦志 |
| 发表日期 | 2000-04-07 |
| 专利号 | JP2000101182A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ素子から出射されたモニタ用のレーザ光がモニタ用光検出器に良好に入射し、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の光量制御を良好に行うことが出来る半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】ヒートシンク1に、半導体レーザ素子2と、該半導体レーザ素子2から出射されたモニタ用レーザ光B2を入射する受光面4aを備える光検出器4とが設けられた半導体レーザ装置において、ヒートシンク1の上部に該ヒートシンク1の上面1aよりも低い位置に底面61を有する段差部6を設け、該段差部6の底面61に半導体レーザ素子2を配置し、該半導体レーザ素子2のモニタ用レーザ光B2の出射部分が光検出器4の受光面4aよりも上方に位置していることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-04-07 |
| 申请日期 | 1998-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71478]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 壮謙,井上 泰明,森 和思,等. 半導体レーザ装置. JP2000101182A. 2000-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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