半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 浩; 浅野 竹春 |
| 发表日期 | 2000-06-16 |
| 专利号 | JP2000164985A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 低消費電力化および高出力動作時の単一モード化を図ることができ、しかも熱放散性に優れた、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザを提供する。 【解決手段】 リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、リッジの両側の部分を、活性層16のバンドギャップ以下のバンドギャップを有する第1の窒化物系III-V族化合物半導体層と活性層16のバンドギャップより大きい第2の窒化物系III-V族化合物半導体層とを少なくとも含む埋め込み半導体層20により埋め込む。第1の窒化物系III-V族化合物半導体層は例えばInx Ga1-x N層20a、第2の窒化物系III-V族化合物半導体層は例えばAlz Ga1-z N層20bである。 |
| 公开日期 | 2000-06-16 |
| 申请日期 | 1998-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71498]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 浩,浅野 竹春. 半導体レーザ. JP2000164985A. 2000-06-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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