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半導体レーザ

文献类型:专利

作者吉田 浩; 浅野 竹春
发表日期2000-06-16
专利号JP2000164985A
著作权人ソニー株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ
英文摘要【課題】 低消費電力化および高出力動作時の単一モード化を図ることができ、しかも熱放散性に優れた、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザを提供する。 【解決手段】 リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、リッジの両側の部分を、活性層16のバンドギャップ以下のバンドギャップを有する第1の窒化物系III-V族化合物半導体層と活性層16のバンドギャップより大きい第2の窒化物系III-V族化合物半導体層とを少なくとも含む埋め込み半導体層20により埋め込む。第1の窒化物系III-V族化合物半導体層は例えばInx Ga1-x N層20a、第2の窒化物系III-V族化合物半導体層は例えばAlz Ga1-z N層20bである。
公开日期2000-06-16
申请日期1998-11-26
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71498]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ソニー株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
吉田 浩,浅野 竹春. 半導体レーザ. JP2000164985A. 2000-06-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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