半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 福村 今日子; 佐藤 信二 |
| 发表日期 | 2000-06-30 |
| 专利号 | JP2000183438A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板の厚さが数μm〜数十μmの半導体レーザ装置を歩留まりよく製造すること。 【解決手段】 厚さが数百μmの半導体基板31上に結晶成長層32および表面電極34を形成して半導体レーザウェハ5を得、その半導体レーザウェハ5を劈開して半導体レーザチップ3を得、半導体レーザチップ3の結晶成長層32側にヒートシンク4を接合し、その状態で基板31の裏面を数μm〜数十μm、例えば5μmの厚さになるまで、研磨による機械的方法や、エッチングによる化学的方法や、スパッタによる方法などにより薄板化する。 |
| 公开日期 | 2000-06-30 |
| 申请日期 | 1998-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71501]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福村 今日子,佐藤 信二. 半導体レーザ装置の製造方法. JP2000183438A. 2000-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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