半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 国安 利明 |
| 发表日期 | 2000-06-30 |
| 专利号 | JP2000183401A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光素子のP電極において、バリア層を厚膜化することなく、ロウ材の拡散に対するバリア性を向上させる。 【解決手段】 P電極12をp-GaAsキャップ層9上に、Ti層12-aを50nm、Pt層12-bを50nm、Ti層12-cを50nm、Pt層12-dを50μm、Au層を12-eを200nmの厚さで順次積層して形成する。このように、バリア層であるTi/Pt層が2重に積層されたTi/Pt/Ti/Pt/Auの5層構造とすることにより、厚膜化することなくバリア性が向上でき、万一Au層近辺のバリア層にInロウ接着材が進入しても、もうひとつのp-GaAs近辺のバリア層で進入を阻止できる。 |
| 公开日期 | 2000-06-30 |
| 申请日期 | 1998-12-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71502]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 国安 利明. 半導体発光素子. JP2000183401A. 2000-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。