半導体レ—ザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 安部 克則; 松下 規由起; 渥美 欣也 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP2000196181A |
| 著作权人 | 株式会社デンソー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光領域へのボンディングを行なわず、且つ電極膜を介した活性層への給電でもFFPが単峰性パターンとなるようにする。 【解決手段】 レーザチップ12は、台座13上にダイボンディングされ、上面の第2の電極膜23の両側部23a,23bでボンディングワイヤ14a,14bとボンディングされている。レーザチップ12は、基板15上に活性層17を含んだ半導体層16〜19が積層形成され、その上面に、SiO2膜20,第1の電極膜21,SiO2膜22および第2の電極膜23が順次積層形成されている。SiO2膜20は、活性層17の発光領域17aに対応する部分がストライプ状に開口され、SiO2膜22は、その発光領域17aの中央部に対応する電流注入領域に対応する部分が開口されている。これにより、第2の電極膜23を介して給電する場合でも、発光領域17aの中央部から電流が注入され、水平方向のFFPを単峰性パターンにできる。 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 申请日期 | 1998-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71507]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社デンソー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安部 克則,松下 規由起,渥美 欣也. 半導体レ—ザ装置. JP2000196181A. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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