半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 町田 豊稔 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP2000196172A |
| 著作权人 | FUJITSU QUANTUM DEVICE KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 構成部品の半田接着面の酸化を防止するとともに、半田の膨張や半田の変質を抑制して接着すべき構成部品同士の接合強度を向上させ、かつ熱抵抗や接触抵抗を小さくする。 【解決手段】 複数の構成部品が半田により接着されてなる半導体装置において、各構成部品11,13,16,17,19の表面のうち少なくとも半田の接着面にPt膜又はPtを含む合金膜12a〜12c等が形成されてなる。 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 申请日期 | 1998-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71509]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU QUANTUM DEVICE KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 町田 豊稔. 半導体装置. JP2000196172A. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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