光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森本 卓夫 |
| 发表日期 | 2002-02-08 |
| 专利号 | JP3275864B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光半導体装置自体のコストとその実装コストとを低減する。 【解決手段】 半導体レーザ素子11を基板1に搭載し、さらに光吸収層となる鉄シリサイド層4を含んで構成されるモニタ用PDを集積化する。このモニタ用PDでレーザ素子11の出力光をモニタする。この場合、基板1は、レーザ素子11と光結合される光ファイバ12を載置するためのV溝2を有し、レーザ素子11から光ファイバ12への出力光をモニタする。 【効果】 モノリシックに集積されているのでモニタ用PDを別に実装する工程が省け、モジュール組立コストを低減できる。また、Si基板上の鉄シリサイドによる受光素子は、通常のSi半導体で用いられる大口径の基板を用いて製造することができるので、製造コストを低減できる。 |
| 公开日期 | 2002-04-22 |
| 申请日期 | 1999-01-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71511]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 卓夫. 光半導体装置及びその製造方法. JP3275864B2. 2002-02-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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