半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤 信二; 福村 今日子 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223768A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザチップとヒートシンクとが一体化されてなる半導体レーザ装置において、ヒートサイクルの発生を抑止すること。 【解決手段】 半導体レーザの出力停止時もしくは待機時、またはパルス駆動のオフ時に、熱発生源36により、半導体レーザチップ31の駆動時の発熱量と同等の熱を発生させ、そのときのヒートシンク32と半導体レーザチップ31との温度差が半導体レーザの出力時またはパルス駆動のオン時の温度差と同じかまたは略同じになるようにし、実際の半導体レーザのオン·オフの回数に対して、半導体レーザチップ31とヒートシンク32との間の温度差の変動によるヒートサイクル数を減らす。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71513]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤 信二,福村 今日子. 半導体レーザ装置. JP2000223768A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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