半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 吉孝 |
| 发表日期 | 2000-10-24 |
| 专利号 | JP2000299533A |
| 著作权人 | DENSO CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ光による各照射パターンが分散することなく、小電流で大出力を容易に得るようにした半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】 左右上側の3個の半導体レーザ素子10は、断面L字状のN型GaAs基板11と、このN型G aAs基板11の左側上面11aに順次積層された発光層12及び電極15と、N型G aAs基板11の右側上面11bに形成された電極15とをそれぞれ有する。左側半導体レーザ素子10は、その電極19にて、上側半導体レーザ素子10の電極15に接合されている。上側半導体レーザ素子10は、その電極19にて、右側半導体レーザ素子10の電極15に接合されている。これにより、各半導体レーザ素子10の各発光層12が略直線状になる。 |
| 公开日期 | 2000-10-24 |
| 申请日期 | 1999-04-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71536]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | DENSO CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 吉孝. 半導体レーザ. JP2000299533A. 2000-10-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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