半導体発光素子およびその製法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 幸生; 尺田 幸男; 中田 俊次 |
| 发表日期 | 2000-11-02 |
| 专利号 | JP2000307185A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製法 |
| 英文摘要 | 【課題】 上部電極にワイヤボンディングなどによる大きな応力が加わっても、半導体層がえぐられてLEDチップを破損することのない半導体発光素子およびその製法を提供する。 【解決手段】 n形のGaAs基板1上にInGaAlP系化合物半導体またはAlGaAs系化合物半導体からなりn形層2およびp形層4が積層されて発光層を形成する発光層形成部9が設けられ、その表面にAlGaAs系化合物半導体からなる電流拡散層5が設けられている。そして、上部(p側)電極7が電流拡散層5の表面に他の半導体層を介しないで直接設けられると共に、その上部電極7はエッチングされないで前記電流拡散層5上の一部に(選択的に)設けられている。そして、基板1の裏面に下部電極8が設けられている。 |
| 公开日期 | 2000-11-02 |
| 申请日期 | 1999-04-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71538]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 幸生,尺田 幸男,中田 俊次. 半導体発光素子およびその製法. JP2000307185A. 2000-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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