半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 紀川 健 |
| 发表日期 | 2001-02-16 |
| 专利号 | JP2001044556A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 従来の高出力半導体レーザで、特に赤色系高出力半導体レーザでは、定光出力連続動作に伴って急速に水素化非晶質硅素薄膜の劣化が生じ、十分な寿命時間を有する高信頼な高屈折率膜を得ることができなかった。 【解決手段】 水素化非晶質硅素薄膜を成膜する際に、反応プラズマ中に活性な水素ラジカル線、若しくは水素イオン線を照射する。 【効果】 Si-H結合の濃度が増大し、光学的バンドギャップが拡大し、バンドの裾が殆ど引かない水素化非晶質硅素膜が形成可能となり、高出力半導体レーザにおいて長寿命,高信頼な高反射率膜を容易な方法で実現でき、歩留まり向上,低コスト化が達成できる。 |
| 公开日期 | 2001-02-16 |
| 申请日期 | 1999-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71557]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 紀川 健. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2001044556A. 2001-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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