分布帰還型半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中山 久志; 鬼頭 雅弘; 小河 晴樹 |
| 发表日期 | 2004-03-04 |
| 专利号 | JP2004071678A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】単一波長発振する温度範囲を従来よりも広範囲にする。 【解決手段】複数の溝102が形成されたInP基板101上に、AsH3とPH3を含む混合気体中で昇温しながら、InAsPの半導体混晶からなる回折格子103、及びInGaAsPの半導体混晶からなる活性層105を順次形成する際、InAsP半導体混晶の形成時のPH3分圧を、InGaAsP半導体混晶の形成時のPH3分圧より大きくすることによって、InAsP回折格子のサイズを大きくすることができる。その結果、活性層の平坦性を損なうことなく活性層と回折格子を近接して設定できるので、活性層と回折格子の光の結合係数を大きくすることができ、単一波長発振する温度範囲を従来よりも広範囲にすることができる。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-03-04 |
| 申请日期 | 2002-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71605]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中山 久志,鬼頭 雅弘,小河 晴樹. 分布帰還型半導体レーザの製造方法. JP2004071678A. 2004-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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