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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者山田 明孝; 杉山 徹; 岡田 直忠
发表日期2004-06-17
专利号JP2004170568A
著作权人TOSHIBA CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】従来、半導体レーザ装置においては、半導体レーザの高出力化を行なうと、半導体レーザからの光を光ファイバへ光結合させることが困難となるという問題があった。 【解決手段】半導体レーザ1と、この半導体レーザ1の励起光出射面1aに対向し且つこの半導体レーザ1の光軸に対し互いにスロー軸方向にその光軸を異ならせて配置された2組の光結合素子3、4と、これら2組の光結合素子3、4をそれぞれ介して前記励起光が入射される2組の光ファイバ5、6とを具備した。 【選択図】図1
公开日期2004-06-17
申请日期2002-11-19
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71620]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位TOSHIBA CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
山田 明孝,杉山 徹,岡田 直忠. 半導体レーザ装置. JP2004170568A. 2004-06-17.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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