半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 蔵町 照彦; 山中 英生; 岡崎 洋二 |
| 发表日期 | 2004-08-19 |
| 专利号 | JP2004235535A |
| 著作权人 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ素子が密閉容器内に設置されてなる半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子端面等への汚染物質の付着を防止し、良好な特性および信頼性を得る。 【解決手段】密閉容器2内に、発振波長が350~450nmの範囲にある半導体レーザ素子6が設置されてなる半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子6の駆動温度を50~80℃の範囲に保つ。温度調節手段は例えば半導体レーザ素子6を加温するヒータ50と、その温度を検出するサーミスタ51と、温調回路52とから構成する。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-08-19 |
| 申请日期 | 2003-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71632]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔵町 照彦,山中 英生,岡崎 洋二. 半導体レーザ装置. JP2004235535A. 2004-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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