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半導体レーザ素子

文献类型:专利

作者米田 章法
发表日期2005-03-17
专利号JP2005072562A
著作权人日亜化学工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子
英文摘要(修正有) 【課題】レーザ駆動初期のインピーダンスを安定化させ、低電流での発振、応答速度の高速化、ノイズの低減等が実現されたレーザ素子を提供する。 【解決手段】第1及び第2導電型半導体層2,4、活性層3と、第1電極13及び第2電極12とを有し、第2電極はオーミック電極8とパッド電極11とからなり、オーミック電極は、第2導電型半導体層の一部にストライプ状にオーミック接続され、パッド電極はその表面であって、オーミック接続された領域の実質的に一方向側においてのみワイヤボンディングに十分な領域が確保され、第1電極は、第1導電型半導体層表面に対して第2電極と同一面側に形成され、かつオーミック接続された領域に対してパッド電極と同一方向側にのみ配置される。 【選択図】図1
公开日期2005-03-17
申请日期2004-06-23
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71660]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日亜化学工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
米田 章法. 半導体レーザ素子. JP2005072562A. 2005-03-17.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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