半导体发光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 谢明勋; 蔡嘉芬 |
| 发表日期 | 2008-05-07 |
| 专利号 | CN101174668A |
| 著作权人 | 晶元光电股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明揭露一种半导体发光元件及其制造方法，此半导体发光元件具有一不透光基板、形成于此不透光基板上的一结合结构、形成于此结合结构上的一半导体发光叠层、以及形成于此半导体发光叠层上的一荧光材料结构，且此半导体发光叠层是分离自一原始成长基板。本发明的半导体发光元件的制造方法包括有分离一半导体发光叠层自一原始成长基板、结合半导体发光叠层至一不透光基板上、及形成一荧光材料结构于半导体发光叠层上方。 |
| 公开日期 | 2008-05-07 |
| 申请日期 | 2004-09-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71670]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 晶元光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢明勋,蔡嘉芬. 半导体发光元件及其制造方法. CN101174668A. 2008-05-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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