半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 矢島 浩義; 長谷川 義晃; 木戸口 勲; 北岡 康夫 |
| 发表日期 | 2006-04-13 |
| 专利号 | JP2006100376A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】GaN系レーザにおいて、薄型PC等に搭載可能な薄型で放熱性に優れたレーザパッケージを実現し、且つ光学部品等を最小限に留めた低コストの光ピックアップでの構成を提供することを目的とする。 【解決手段】長手方向を有するキャン6と、キャン6の主面側に位置する、積層構造を持つ窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子1と、を有し、前記キャン6の長手方向と、前記窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子1の積層方向が同一方向であることを特徴とするように構成したものである。これにより、薄型化·高放熱の半導体レーザ装置および光ピックアップ装置を実現できる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-04-13 |
| 申请日期 | 2004-09-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71672]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 矢島 浩義,長谷川 義晃,木戸口 勲,等. 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置. JP2006100376A. 2006-04-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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