半導体レーザー装置
文献类型：专利
| 作者 | 蔵町 照彦; 永野 和彦; 氏家 善宏 |
| 发表日期 | 2006-12-07 |
| 专利号 | JP2006332329A |
| 著作权人 | FUJIFILM HOLDINGS CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザー素子を放熱ブロックに固定してなる半導体レーザー装置において、半導体レーザー素子位置合わせのためのアライメントマークを放熱ブロックに高精度に形成可能とし、また放熱ブロックのコストも低く抑える。 【解決手段】 半導体レーザー素子1と、この半導体レーザー素子1をジャンクションダウン構造で固定したサブマウント2と、このサブマウント2を固定した放熱ブロック3とを備えてなる半導体レーザー装置において、AlN等の絶縁性セラミックから放熱ブロック3を形成する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-12-07 |
| 申请日期 | 2005-05-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71693]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJIFILM HOLDINGS CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔵町 照彦,永野 和彦,氏家 善宏. 半導体レーザー装置. JP2006332329A. 2006-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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