半導体レーザー装置
文献类型：专利
| 作者 | 蔵町 照彦 |
| 发表日期 | 2006-12-07 |
| 专利号 | JP2006332521A |
| 著作权人 | 富士フイルムホールディングス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザー素子をヒートシンクに接合してなる半導体レーザー装置において、上記接合の強度を十分に確保し、はみ出した半田によるショートを防止する。 【解決手段】 N型基板1sと反対側の表面にP電極1dおよびN電極1bが、前者が後者より突出するように形成されてなる半導体レーザー素子1と、この半導体レーザー素子1が電極側から半田7、17で接合されたヒートシンク2とを備えてなる半導体レーザー装置において、N電極1bをヒートシンク2に接合する半田17を、N電極1bよりも大面積で、このN電極1bからP電極側1dにははみ出さないでP電極1dと反対側にはみ出したパターンとし、P電極1dをヒートシンク2に接合する半田7を、P電極1dよりも小面積で、P、N電極の並び方向と略直交する方向に互いに間隔を置いて連なる複数のドット状部分からなるパターンとする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-12-07 |
| 申请日期 | 2005-05-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71699]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士フイルムホールディングス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔵町 照彦. 半導体レーザー装置. JP2006332521A. 2006-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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