半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 嶋本 敏孝; 牧田 幸治 |
| 发表日期 | 2007-05-10 |
| 专利号 | JP2007115929A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】容易な製造プロセスで、放熱性を低下させることなく、ミラーの位置合わせ精度を向上するとともに、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させることを目的とする。 【解決手段】モノリシックに形成された複数の半導体レーザを実装する場合に、ビームステアリングミラー907,914が形成された端面を突き合わせて実装することにより、各発光点の間隔が、高精度に制御可能な製造プロセスで形成された、ビームステアリングミラー907,914の位置と誘電体膜919の膜厚によって決定されるので、容易な製造プロセスで、放熱性を低下させることなく、各レーザから発するレーザ光に対して、光軸の位置精度を向上させ各発光点間隔の制御が容易にできる。 【選択図】図7 |
| 公开日期 | 2007-05-10 |
| 申请日期 | 2005-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71721]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 嶋本 敏孝,牧田 幸治. 半導体レーザ装置. JP2007115929A. 2007-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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