半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 若林 和弥; 長沼 香; 今西 大介; 滝口 幹夫 |
| 发表日期 | 2008-11-20 |
| 专利号 | JP2008283064A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】歩留りを向上させると共に良好なレーザ特性を維持することが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置1は、ヒートシンク10上に、半導体レーザアレイ11と、補剛部12と、絶縁層13と、電極部材14とを備える。補剛部12は、ヒートシンク10上の半導体レーザアレイ11とは異なる領域に設けられ、ヒートシンク10よりも線膨張係数の小さい材料で構成されている。半導体レーザアレイ11のヒートシンク10への接合時や高温動作時において、半導体レーザアレイ11からヒートシンク10への熱伝導を妨げられることなく、ヒートシンク10から半導体レーザアレイ11へかかる熱応力が軽減される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-11-20 |
| 申请日期 | 2007-05-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71760]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 若林 和弥,長沼 香,今西 大介,等. 半導体レーザ装置. JP2008283064A. 2008-11-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。