半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 坂本 順信 |
| 发表日期 | 2009-02-26 |
| 专利号 | JP2009044026A |
| 著作权人 | RICOH CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ素子で発生した熱を、効率よく逃がす。 【解決手段】半導体レーザ素子10とサブマウント11は接合し、サブマウント11と接ヒートシンク12は接合し、ヒートシンク12の側面部にフランジ14があり、ヒートシンク12はフランジ14の中心穴を通り、且つフランジ14の下面側に突き出し、フランジ下面側14に突き出た部分は、ペルチェ素子220と接触し、更に、フランジ下面にはレーザ駆動基板100、またレーザ駆動基板100の下面側に放熱部材200を設け、レーザ駆動基板100の中心にはスルーホール102があり、レーザ駆動基板100の上面部と下面部に伝熱部材101があり、スルーホール102を介し導通しており、伝熱部材101とペルチェ素子220は接触し、また伝熱部材101と放熱部材200が接触し、ヒートシンク12、ペルチェ素子220、スルーホール102、放熱部材220は同一軸上にあり固定される。 【選択図】図1a |
| 公开日期 | 2009-02-26 |
| 申请日期 | 2007-08-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71771]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RICOH CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 坂本 順信. 半導体レーザ装置. JP2009044026A. 2009-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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